酒井 朗 | Nec基礎研究所

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概要

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関連著者

• 酒井 朗

  Nec基礎研究所

• 碓井 彰

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 碓井 彰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 砂川 晴夫

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

• 碓井 彰

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 木村 明隆

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笹岡 千秋

  Nec光・無線デバイス研究所

• 黒田 尚孝

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 砂川 晴夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笹岡 千秋

  NEC光超高周波デバイス研究所

• 砂川 晴夫

  NEC光超高周波デバイス研究所

• 木村 明隆

  NEC光超高周波デバイス研究所

• 碓井 彰

  NEC光超高周波デバイス研究所

• 井手 隆

  NECデバイス評価技術研究所

• 清水 啓次

  NECデバイス評価技術研究所

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著作論文

• ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
• GaN選択横方向成長による転位密度の低減
• 28a-YM-2 Si(001)表面上のGeエピタキシャル成長膜の格子歪み
• Ge/si系の成長と歪緩和のメカニズム(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
• Si(111)面上Ge成長のその場走査電子顕微鏡観察

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