SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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Sic基板上にガスソースMBE法によりAlGaN/GaNヘテロ接合構造を成長し、デバイスの作製を行った。ゲート幅20mmのFETは、動作電圧22VにてCW出力43.4W(2.2W/mm)、線形利得9.8dB、電力付加効率40.7%を示した。出力43.4wはGaN系デバイスのCW出力としては最高の値である。Sic基板は放熱性が良く、高い電力密度を持つ大出力デバイスの作製に有利である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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