L/S帯低歪GaN増幅器技術
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概要
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L/S帯向けに開発された高出力GaN増幅器の設計と特性について述べる。また、高電圧動作下でのメモリ効果の低減に関し、理論的考察を行った。開発したGaN増幅器は2.14GHz帯WCDMA入力時にピーク出力370Wを示した。さらにデジタルプレディストーション法を適用し、-50dBcの低歪特性とメモリ効果の低減を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
(財)新機能素子研究開発協会
-
嶋脇 秀徳
Nec
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