高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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高融点・高信頼の短ゲート形成プロセスを開発し、ゲートの庇下酸化膜の部分除去により、高歩留まりで高利得なK帯高出力FETを実現した。開発した素子は、5インチ面内でσVt=12mVの良好な均一性と高い歩留まりを達成し、ゲート長0.2μm、ゲート幅450μmの素子において、Gain=15dB@20GHzの高利得を得た。本プロセスにより、20GHz帯の高出力MMICを作製した結果、線形利得38dB、飽和出力33.9dBm(2.4W)、電力付加効率32%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-05
著者
-
松永 高治
NECシステムデバイス研究所
-
笠原 健資
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
笠原 健資
Necシステムデバイス研究所
-
村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
NECシステムデバイス研究所
-
村瀬 康裕
NECシステムデバイス研究所
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