山之口 勝己 | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

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概要

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• 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 村瀬 康裕

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 田能村 昌宏

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 笠原 健資

  Necシステムデバイス研究所

• 大田 一樹

  Nec

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 井上 隆

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 黒田 尚孝

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 村瀬 康裕

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 山之口 勝己

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 田能村 昌宏

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 岡本 康宏

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 大田 一樹

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 安藤 裕二

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 松永 高治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 牧野 洋一

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  NEC光・無線デバイス研究所

• 村瀬 康裕

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NECシステムデバイス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 恩田 和彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 健一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 松永 高治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 吉田 周平

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 大畑 恵一

  Nec 光・無線デバイス研

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 大田 一樹

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  NECシステムデバイス研究所

• 村瀬 康裕

  NECシステムデバイス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
• C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
• ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
• 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
• C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC

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