松永 高治 | 日本電気株式会社システムipコア研究所

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• 松永 高治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 葛原 正明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 國弘 和明

  東工大理

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  東工大理

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  Nec

• 國弘 和明

  日本電気(株)

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  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 国弘 和明

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• 國弘 和明

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• Contrata W.

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• 大野 泰夫

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• 羽山 信幸

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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• 笠原 健資

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• 中山 達峰

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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• 宮本 広信

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

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• 笠原 健資

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• 大野 泰夫

  日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部

• 大野 泰夫

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• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• Contrata Walter

  日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所

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• 中山 達峰

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

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• 岡本 康宏

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 宮本 広信

  NEC

• 田能村 昌宏

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

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  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

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  Nec化合物デバイス事業部

• 大田 一樹

  Nec

• 山之内 慎吾

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• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 吉田 周平

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• Contrata W

  日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所

• 村瀬 康裕

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

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  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• Contrata W.

  日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• Contrata Walter

  Nec光・無線デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 堀 真一

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 元井 桂一

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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  日本電気株式会社

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著作論文

• AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
• 4.高出力マイクロ波デバイスとしての窒化ガリウムトランジスタ(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
• AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
• C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
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• C-2-22 100W級S帯向けF級GaN FET電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

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