大野 泰夫 | Nec光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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大野 泰夫
徳島大学
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大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 裕之
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
著作論文
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
- HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- GaAsパワーFETにおけるドレイン耐圧変動機構の解明
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
- GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
- HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション
- p層バッファによるドレインラグ現象のシールド効果
- 周期バイアス動作解析用デバイスシミュレータ