埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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