周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
周期バイアスに対する定常解を求めるための2次元デバイスシミュレータを開発した. このシミュレータを用いることにより, 通常のデバイス評価に用いられる周期バイアス印加時の定常解を計算することが可能となった. このシミュレータを用いて, GaAs HJFETをパルス動作させた場合におけるマーク率変化による特性の変動を調べた. Lowレベル, Highレベルの電流値が, マーク率に対して変化することが確認できた. また, ドレイン電流値はマーク率に対し非線形に変化すること, 及び, 入力パルスの振幅の増加とともに非線形性が増大することが判った. この変化はトラップに対するSRH統計モデルで説明ができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
関連論文
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- WCDMA用電力増幅器の低歪・高効率化回路技術 : 動的プリディストーションとポーラ変調技術(移動通信ワークショップ)
- 30p-PS-19 理研気体充填型質量分析器(GARIS)の性能に関するモンテカルロ・シミュレーション
- 30p-PS-6 Heジェット系の製作
- 30a-W-5 ^Ca遅発陽子放出の測定
- 30a-W-2 (a^^→,^2He)反応を用いた"Be励起状態
- 5a-C-10 ^Cの超許容フェルミベータ崩壊
- 5a-C-8 ^Bi γ線相対強度の精密測定
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- C-2-22 WCDMA携帯端末用エンベロープトラッキング方式電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
- C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- 41609 建築構造物を用いたマイクロ波無線ユビキタス電源の実現 : (その7) 実大空間を用いたシステム特性の評価(設備応用,環境工学II)
- 移動体通信,通信 モバイルRFチップセットの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
- CS-3-2 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- GaAsパワーFETにおけるドレイン耐圧変動機構の解明
- e-ソサイエティ(http://www.e-eleso.org)とエレクトロニクスベンチャービジネス研究会へのお誘い
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
- GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
- HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション
- p層バッファによるドレインラグ現象のシールド効果
- ホールトラップ型基板におけるHJFETドレインラグ現象の解析
- HJFETにおけるドレインラグ現象の大信号等価回路モデル
- 周期バイアス動作解析用デバイスシミュレータ
- C-2-17 WCDMA向けポーラ変調型電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- C-2-22 100W級S帯向けF級GaN FET電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-12-69 ダイナミックレンジスケーラブル電力検出器を備えたコグニティブ無線用広帯域受信IC(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-25 寄生補償高調波共振回路を適用したS帯逆F級GaN電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 28p-SA-2 理研ISOLのオンライン試験(28p SA 原子核実験(測定器),原子核実験)