HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
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概要
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GaAs FETの設計や実用において, 半絶縁性基板やエピ/基板面のトラップが引き起こすドレインコンダクタンスの周波数分散やドレインラグの影響は無視できず, 特にデジタルICの安定動作にはその抑制力が不可欠である。今回我々は, これら基板トラップ効果を抑制するための回路側からの方策として, カスコード接続を検討した。SPICEシミュレーションおよび実測から, カスコード接続によってG_<DS>分散を有効に低減できることを確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
国弘 和明
NEC光エレクトロニクス研究所
-
高橋 裕之
NEC光エレクトロニクス研究所
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