基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
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概要
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LSI消費電力の低減を目的として電源電圧を低減する場合には、温度変化を考慮した雑音余裕度の確保が重要である。今回、OPアンプを用いてP型基板上のDMT DCFL回路の伝達特性及び遅延時間の温度変動を補償する検討を行った結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
-
沼田 圭市
NEC
-
徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
藤井 正浩
日本電気(株)
-
藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
-
藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
沼田 圭市
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
藤井 正浩
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
徳島 正敏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
石川 昌興
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
前多 正
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
大野 泰夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
深石 宋生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
樋田 光
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
-
樋田 光
Necエレクトロニクス
-
大野 泰夫
Nec
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