超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
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概要
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高速で動作する超低消費電力LSIのニーズに応えるためには、電源電圧の大幅な低減が有効な手段の一つである。このような観点から、我々はこれまで、0.25μmゲートIS^3-HJFETを開発し、その超低電圧駆動LSI用素子としての有効性を示してきた。今回、回路を構成する素子の性能向上をはかるために、開発したY型ゲート構造を実現し,FETの高周波特性をさらに向上させることができたので報告する。また、本構造によるE/D構成FETのリング発振器を作成し、従来のIS^3構造による電力遅延時間積を約1/2に低減できることを確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
-
徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
藤井 正浩
日本電気(株)
-
藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
-
藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
吉田 信秀
NEC光・無線デバイス研究所
-
樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
-
和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
和田 茂己
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
徳島 正敏
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
深石 宋生
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
石川 昌興
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
松野 典明
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
吉田 信秀
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
藤井 正浩
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
樋田 光
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
前多 正
NECマクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
-
和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
-
和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
樋田 光
Necエレクトロニクス
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