GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
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概要
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GaAs MESFETにおけるドレインコンダクタンスの周波数分散やドレインラグなどの基板トラップ効果を抑制する目的で、埋め込みp層の濃度、プロファイル、配置を系統的に変化させ、その効果を調べた。実測および等価回路を用いた考察の結果、p層で基板トラップ効果を抑制するためには、電位の固定された電極にp層がある抵抗値よりも低く接続されている必要があることが分かった。このときp層の抵抗値は濃度ばかりでなく、プロファイルや配置によっても敏感に影響を受ける。また、p層によって低周波での基板トラップの影響を打ち消しても、高周波においてp層自身が電流変動を引き起こす可能性があり、埋め込みp層の設計にはこの影響も考慮しなければならない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
能米 雅信
Nec光エレクトロニクス研究所
-
国弘 和明
NEC光エレクトロニクス研究所
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