高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
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概要
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高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構を、2次元シミュレーターを用いて解析した。シミュレーションでは、2端子破壊に関与する衝突イオン化、トネリング、表面準位に対して、実験に基づいたモデルを使用している。シミュレーション結果は、2端子破壊で観測されるS字型負性抵抗や、通電ストレスによる耐圧の初期変動(walkout)を良く再現している。また、解析結果に基づいて、中性化したp層をチャネル下に埋め込んだFET構造を提案した。この構造では、p層が縦方向電界によってゲート-ドレイン間の電子を空乏化させ、ゲート端での電界集中を緩和するため、耐圧の向上が見込める。実際、p層を埋め込んだFETを試作した結果、従来構造に比べ2端子耐圧は大幅に向上していることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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