国弘 和明 | NEC光・無線デバイス研究所
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概要
関連著者
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國弘 和明
東工大理
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大野 泰夫
徳島大学
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国弘 和明
Nec
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国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
Nec
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高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
東工大理
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國弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
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國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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国弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
Nec
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松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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笹岡 千秋
NEC光・超高周波デバイス研究所
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大久保 哲
NEC光・超高周波デバイス研究所
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笹岡 千秋
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
著作論文
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析