羽山 信幸 | Nec
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概要
関連著者
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
Nec
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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國弘 和明
東工大理
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国弘 和明
東工大理
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大野 泰夫
徳島大学
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国弘 和明
Nec
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大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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國弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
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国弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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高橋 裕之
Nec
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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青木 雄一
日本電気(株)
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NECシステムデバイス研究所
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部
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樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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青木 雄一
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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国弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
Nec
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笠原 健資
NEC
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宮本 広信
NEC
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中山 達峰
NEC
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羽山 信幸
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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樋田 光
Necエレクトロニクス
著作論文
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
- 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET