松永 高治 | 財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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NECナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
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金森 幹夫
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国弘 和明
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徳島大学
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NEC光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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高橋 裕之
Nec
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NECシステムデバイス研究所
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松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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NEC
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NEC
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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松永 高治
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(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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NECシステムデバイス研究所
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NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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NEC 化合物デバイス事業部
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NEC 光・無線デバイス研究所
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Nec システムulsi開発本部
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日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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Contrata W
NEC光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
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松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
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Contrata W.
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化合物デバイス事業部
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竹中 功
化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC光無線デバイス研究所
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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羽山 信幸
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
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葛原 正明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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三浦 郁雄
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
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竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
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麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
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吉田 周平
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Contrata W
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石倉 幸冶
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松永 高冶
NEC関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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大田 一樹
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NECシステムデバイス研究所
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村瀬 康裕
NECシステムデバイス研究所
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佐倉 直喜
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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松永 高冶
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Contrata W.
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
-
Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- 4.高出力マイクロ波デバイスとしての窒化ガリウムトランジスタ(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
- L/S帯低歪GaN増幅器技術,AWAD2006)
- L/S帯低歪GaN増幅器技術
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション