嶋脇 秀徳 | Nec

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概要

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関連著者

• 嶋脇 秀徳

  Nec

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 遠藤 一臣

  NEC

• 大田 一樹

  Nec

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 遠藤 一臣

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 康宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 宮本 広信

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  (財)新機能素子研究開発協会

• 嶋脇 秀徳

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  NEC光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 白石 靖

  Nec光・超高周波デバイス研究所

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著作論文

• 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
• L/S帯低歪GaN増幅器技術,AWAD2006)
• L/S帯低歪GaN増幅器技術
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• p-GaAsへの低コンタクト抵抗PdInオーミック電極

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