大田 一樹 | NECナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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大田 一樹
Nec
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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遠藤 一臣
NECナノエレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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遠藤 一臣
NEC
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嶋脇 秀徳
Nec
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嶋脇 秀徳
NECナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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黒田 尚孝
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
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山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
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田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
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安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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分島 彰男
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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大田 一樹
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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Contrata W
NEC光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
NEC光無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
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石倉 幸治
化合物デバイス事業部
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竹中 功
化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC光無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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吉田 周平
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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大田 一樹
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET