村瀬 康裕 | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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田能村 昌宏
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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笠原 健資
Necシステムデバイス研究所
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大田 一樹
Nec
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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黒田 尚孝
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
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山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
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田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
-
安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NEC光・無線デバイス研究所
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村瀬 康裕
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NECシステムデバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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吉田 周平
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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大田 一樹
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NECシステムデバイス研究所
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村瀬 康裕
NECシステムデバイス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC