笠原 健資 | Necシステムデバイス研究所

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概要

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• Necシステムデバイス研究所の論文著者

関連著者

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 笠原 健資

  Necシステムデバイス研究所

• 村瀬 康裕

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 山之口 勝己

  NEC光・無線デバイス研究所

• 村瀬 康裕

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NECシステムデバイス研究所

• 笠原 健資

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 山之口 勝己

  NECシステムデバイス研究所

• 村瀬 康裕

  NECシステムデバイス研究所

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著作論文

• 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC

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