22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、次世代衛星通信のキーデバイスとして化合物半導体を用いたK帯高出力増幅器の開発が進められている。我々はこれまで埋め込みゲート構造AlGaAs/InGaAs HJFETを用いてKu帯高出力増幅器の開発を行ってきた。今回、ゲート幅(Wg)=1.4mmの素子を22GHz帯でパワー評価を行い、良好な特性を得ることができたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
三浦 郁雄
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60GHz帯MMIC広帯域高出力増幅器
- 60GHz帯MMIC 2段広帯域出力増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- マイクロストリップ線路に結合した60GHz帯誘電体共振器
- 60GHz 帯高出力MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz 帯 MMIC 誘電体装荷電圧制御発振器
- 60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器
- 60GHz安定化MMIC信号源
- ミリ波帯MMIC誘電体安定化電圧制御発振器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- AlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンク発生機構の検討
- 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 2V動作1W小型高出力HJFET