低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
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概要
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近年、携帯電話端末において、小型計量化と低電圧化が進み、電源電圧3.0〜3.6Vの検討がなされている。一方変調方式は、π/4シフトOPSK(Ouaternary Phase-Shift Keying)変調波を用いるPDC(Personal Digital Cellular)方式への移行が進んでいる。従って、低電圧動作において高効率と同時に低歪な電力増幅器の実現が急務である。今回、低電圧動作PDC用高出力素子として、ダブルドープ構造HJFETの適用を検討した。その結果、17.5mmという比較的短いゲート幅の素子の電源電圧3V以下の動作において、PDC用高出力素子として有望な低歪及び高効率特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
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