Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
コントラッタ ウォルター
Nec 関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
コントラッタ ウォルター
NEC関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
- C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAs FETの開発動向とその応用例 : 無線技術
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- パッケージHJFETの雑音解析 : ゲート幅依存性
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- C-2-57 中間周波数での安定性を高めたV帯高出力アンプ
- 共鳴トンネルトランジスタのマイクロ波特性
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation
- プレーナドープHJFETのノンアロイ接触抵抗率解析
- InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- In_Ga_As層の挿入によるIn_Al_As/In_Ga_Asヘテロ界面の平滑化
- InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討
- モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
- 2)BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAsFETの開発動向とその応用例(無線技術研究会)
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 2V動作1W小型高出力HJFET