AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
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概要
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60GHz帯無線LAN用受信段デバイスとしてInP系ヘテロ接合FET(HJFET)を用いたコプレーナ(CPW)型3段低雑音増幅器(LNA)を作製し、CPW型LNAとして世界最高の雑音指数2.0dB、利得22.1dB@60GHzを得た。基本デバイスには、熱的安定性の高い独自構造超格子挿入型InP-HJFETを採用した。回路設計には、0.1μm長の微細ゲート電極に適用可能なゲート抵抗スケーリング則を導入した小信号モデルを適用した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-11
著者
-
田中 愼一
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
山之口 勝巳
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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