InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性
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概要
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InAlAs, InGaAs FETのゲートリーク電流の低減のためIn_0.52>Al_0.48>As/AlAs/n-In_0.52>Al_0.48>As構造の検討を行った。AlAs歪み層厚を0nmから10nmに増加させるに従ってAl/Ti/In_0.52>Al_0.48>As/AlAs/n-In_0.52>Al_0.48>As構造の実効的ショットキー障壁高さは0.56eVから0.82eVに増加し、逆方向電圧2Vでのゲートリーク電流は3.5X10^-3>から2X10^-6> A/cm^2まで低減した。さらにIn_0.52>Al_0.48>As/AlAs/n-In_0.52>Al_0.48>As/In_0.53>Ga_0.47>As選択ドープ構造において、AlAs層の挿入による2次元電子ガスの濃度、移動の劣化はなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
大石 恵美
NEC関西エレクトロニクス研究所
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