臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製
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概要
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Matthews等の式から求めた臨界膜厚を越える厚さのInAs歪層を動作層としたHJFET構造をInP基板上に作製することに成功した。新しい構造ではInAlAs/InAsヘテロ界面にAlAs層を導入することで、平滑なInAlAs/AlAs/InAsヘテロ界面を形成することができた。この構造を用いることで、InAs歪層厚7nm(従来の約2倍)を動作層としたHJFET構造において、高移動度185,00cm^2/Vs、高シート電子濃度3.13×10^<12>cm^<-2>を同時に実現することができた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
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