In(Al_<1-x>Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性

概要

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InAlAsショットキー層中にIn(Al_<1-x>Ga_x)As溥層を導入した新構造のInAlAs/InGaAs系HJFETを提案する。30AのIn(Al_<1-x>Ga_x)As(Ga組成x≧0.5)を導入した新結晶構造では、従来構造で高温保管時に問題となっていたシートキャリア密度の減少を大幅に低減できることをホール測定により確認した。また、SIMS分析から、従来構造では高温保管後にはn+-InAlAsドナー層中にFが混入しているのに対し、この新結晶構造ではFの侵入が抑制されていることを確認した。この結果から、シートキャリア密度の減少には、外部からn+-InAlAsドナー層中へのFの侵入が関与していること、ならびに、In(Al_<1-x>Ga_x)As 薄層はFの侵入を抑制するのに有効であることがわかる。さらに、In(Al_<1-x>Ga_x)As層をもつ新しい結晶構造を用いて作製したHJFETでは、従来構造に比べて、高温保管試験におけるドレイン電流やしきい値電圧の変動を大幅に抑制し、熱的安定性に優れていることも確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-20