ミリ波帯ヘテロ接合FETMMIC電圧制御発振器
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概要
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ミリ波通信システムにおいて、バラクタを集積化した電圧制抑発振器(VCO)は、FM・FSK変調や周波数制御等に有用である。今までに、GaAs FET結晶層にGaAsバラクタダイオードを積み上げた回路が報告されているが、我々はヘテロ接合FETを能動素子およびバラクタ素子として集積化した、簡単なプロセスで製作可能なvcoを設計、試作し、線形な周波数制御特性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
舟橋 政弘
(株)ミリウェイブ
-
大畑 恵一
(株)ミリウェイブ
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
丸橋 建一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
細谷 健一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
(株)ミリウェイブ
-
井上 隆
NEC-関西エレクトロニクス研究所
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