フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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SiC基板上にフィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaNリセスゲートFETを作製した。Wg=4mmの素子において64V動作で飽和出力35W(8.7W/mm)、線形利得15.5dB、電力付加効率69%の特性を得た。またWg=30mmの素子において46V動作で飽和出力131W(4.4W/mm)、線形利得7.4dB、電力付加効率59%の特性を得た
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
-
安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
播谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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