n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
n-AlGaN/GaN構造およびn-GaN構造に対するTi/Al電極を用いたコンタクト抵抗について、TiとAlの厚さの比率、アニール温度、エピ構造の各依存性について調べた。その結果、低コンタクト抵抗を得るためには、高いドナー濃度のコンタクト層に、Tiに対するAlの比率の高いTi/Al電極金属を用いて、600∼650℃でアニールすることが重要であることが判った。950℃で高温アニールした場合は、エピ構造、Ti/Alの比率にあまり依存せず10^<-5>Ωcm^2程度の抵抗が得られるが、Ti/Alの比率やエピ構造によっては低温の650℃でアニールの方がより低いコンタクト抵抗が得られる。650℃のアニールにより、ドナー濃度が約10^<19>cm^<-3>のn-AlGaN/GaN構造に対してTi/Alの膜厚比が10nm/200nmの電極を用いて、1×10^<-7>Ωcm^2という極めて低いコンタクト抵抗が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-10-22

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク