葛原 正明 | Nec 関西エレクトロニクス研
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概要
関連著者
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
日本電気
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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岡本 康宏
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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幡谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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猪砂 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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猪砂 佳子
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
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柴田 直樹
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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播谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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三浦 郁雄
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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舟橋 政弘
日本電気(株)
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岡本 康宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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高橋 裕之
Nec
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井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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國弘 和明
東工大理
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国弘 和明
東工大理
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大野 泰夫
徳島大学
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国弘 和明
Nec
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
Nec
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國弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
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水谷 浩
日本電気(株),化合物デバイス事業部
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
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ウォルタ コントラッタ
NEC関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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水谷 浩
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
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水谷 浩
Nec
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細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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コントラッタ ウォルター
Nec 関西エレクトロニクス研究所
-
コントラッタ ウォルタ
Nec 関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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富士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 建一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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細谷 健一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐倉 直喜
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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松永 高冶
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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水谷 浩
日本電気(株) 化合物デバイス事業部
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国弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- ミリ波超小型SPSTスイッチMMIC
- 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
- 高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
- 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- リセスゲート構造 GaAsFET を用いた衝突イオン化率の測定
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
- 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
- デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET