NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
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概要
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小型軽量かつ低コストな携帯電話の実現には電池本数の低減が有効である。最近では、電池1本動作を目指した電源電圧(Vds)1.5V以下での高出力素子の検討がなされている。高出力素子の低電圧化には、高電流化及びknee電圧の低減が必要であると同時に、しきい値電圧(V_T)は負電源回路の制約から-1.2Vより浅いしきい値(V_T)が望まれる。今回、ダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)の高電流化を検討し、1.2V動作において出力1W以上の良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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