単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
携帯電話の周波数利用効率の向上や、高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。今回、単一電源動作可能なHJFETとSrTiO_3(STO)キャパシタを用いたMMIC2段パワーアンプを作製し、IS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
宮坂 洋一
NEC基礎研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
竹村 浩一
NEC 基礎研究所
-
宮坂 洋一
NEC 基礎研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
宮坂 洋一
Nec 基礎研
-
竹村 浩一
NEC基礎研究所
関連論文
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- SBT薄膜の強誘電性の温度依存性
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価
- C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
- 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討
- SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- 3.4V動作国内ディジタル携帯電話用パワ-アンプMCIC MC-7620/MC-7621 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション系システム用デバイス)
- 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET
- 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET
- デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET