3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
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概要
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多層キャップ構造の適用により低いオン抵抗(1.4Ω・mm)を有するSi-doped AlGaAs/InGaAs/Si-doped AlGaAsヘテロ接合FET(HJFEF)をW-CDMA規格に準拠して評価した。セットドレイン電流50mA,動作電圧3.5Vにおいて最適整合したゲート幅19.2mmのFETは、隣接チャネル漏洩電力比-40dBc時に出力電力570mWと電力付加効率54%を示した。このFETのドレインバイアス供給回路にDC-DCコンバータを用いて1.0V動作させたところ、21%の効率(コンバータ効率含む)を20mW出力時に達成した。高効率HJFETとDC-DCコンバータの組合せが、広い出力電力範囲で高い効率を必要とするW-CDMA端末用パワーアンプに好適である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-06-25
著者
-
加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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