広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
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概要
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広い出力電力範囲で高効率特性を示す1.95GHzW-CDMA端末用パワーアンプを開発した。パワーアンプは高出力ヘテロ接合FETとそれの線形性を向上するためのMMICプリディストータからなる。プリディストータの装荷により、隣接チャネル漏洩電力(ACPR)-40dBc時のパワーアンプ出力電力(P_out)は25.5dBmから26.2dBmに、電力付加効率(PAE)は54.4%から57.4%にそれぞれ向上した。また、動作電圧の制御により、13dBmの低出力時にも47.7%の項率を得た。作製したパワーアンプは21dBの電力範囲に渡って40%以上の効率を示し、広いダイナミックレンジが必要なW-CDMA端末用に好適である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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