携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAsヘテロ接合FETにより構成し、ドハティ構成のメイン増幅器とピーク増幅器の歪相殺効果を利用して2.14GHzで飽和出力330Wを得ながら、2.135GHz+2.145GHzのW-CDMA2波入力で約6dB出力バックオフの49dBm出力時に3次相互歪-37dBcの低歪特性とドレイン効率42%の高効率特性の両立を実現した。さらに、ドハティ増幅動作時におけるメイン増幅器とピーク増幅器のAM-AM,AM-PM特性を評価する手法を提案し、歪相殺効果を実験的に明らかにした。
- 2007-01-10
著者
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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長谷川 浩一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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上田 隆
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
栗原 俊道
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
Necエレクトロニクス
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