長谷川 浩一 | NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
長谷川 浩一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小笠原 靖
Nec山形個別半導体部
-
岸 一弘
Nec山形個別半導体部
-
江森 文章
NEC化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
長谷川 浩一
NEC 化合物デバイス事業部
-
江森 文章
NEC 化合物デバイス事業部
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
上田 隆
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
栗原 俊道
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
Necエレクトロニクス
-
岩田 直高
NEC 化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
-
岸 一弘
NEC 山形 個別半導体部
-
小笠原 靖
NEC 山形 個別半導体部
-
長谷川 浩一
NEC化合物デバイス事業部
著作論文
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET