W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
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概要
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W-CDMA基地局用高効率150W FETを開発した。基本素子には高いgmと3次のトランスコンダクタンス係数が低い特性を有するヘテロ接合FETを採用した。さらに、入出力の内部整合回路において、2倍波インピーダンスの最適化を行い、高効率化を図った。開発したプッシュプル増幅器は、2.12GHzの12V、セット電流1.5AのB級に近い動作において飽和出力150W、最大効率60%、線形利得14.5dBを達成した。また、43dBm出力時に隣接チャネル漏洩電力比-35dBcと付加効率28%の良好な特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
小笠原 靖
Nec山形個別半導体部
-
岸 一弘
Nec山形個別半導体部
-
石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
長谷川 浩一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
長谷川 浩一
NEC化合物デバイス事業部
-
江森 文章
NEC化合物デバイス事業部
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