岩田 直高 | Necエレクトロニクス

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概要

• 同名の論文著者
• Necエレクトロニクスの論文著者

関連著者

• 高橋 英匡

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  Necエレクトロニクス

• 尾藤 康則

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 播磨 史生

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 長谷川 浩一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 上田 隆

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 栗原 俊道

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

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著作論文

• p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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