コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
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概要
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移動体通信端末用に低電圧動作AlGaAs/InGaAs/AlGaAsヘテロ接合FETを試作評価した。FETが低電圧動作時に高出力・高効率を得るためには素子のオン抵抗低減が必要である。そこで、ドライエッチングによるリセス形成用のAlGaAsストッパ層への高濃度ドナー添加と狭リセスの適用により1.3Ω・mmの低いオン抵抗を得た。また、最大ドレイン電流は620mA/mmであった。ゲート幅28mm素子を用いて1.0V動作で950MHz PDC出力特性を評価したところ、50kHz離調の隣接チャネル漏洩電力-48.0dBc時に、出力電力1.0W、電力付加効率59%、付随利得13.7dBを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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