低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
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概要
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最近では, Liイオン電池1本で動作する小型軽量なデジタル携帯電話が普及している。今後は, より一層の小形軽量化, 通話の長時間化及び低コスト化が進むと予想される。高出力素子に対しては, 低電圧動作化, 電力付加効率の向上, チップ面積縮小の要求が高まっている。これに対して我々は, グブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)の開発を継続している。今回, オン抵抗(R_<on>)を低減したFETを開発し, 1.2 V動作ではゲート幅(W_g)28.0 mmの素子で, また3.4 V動作では, W_g=7.0 mmの素子で良好なPDC出力特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
日本電気
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