ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-12-05
著者
-
宮坂 洋一
NEC基礎研究所
-
薮田 久人
キャノン先端融合研
-
宮坂 洋一
日本電気(株)基礎研究所材料研究部
-
竹村 浩一
NEC基礎研究所
-
吉田 政次
日本電気(株)
-
有田 幸司
日本電気(株)
-
藪田 久人
日本電気(株)
-
曽祢 修次
日本電気(株)
-
山道 新太郎
日本電気(株)
-
竹村 浩一
日本電気(株)
-
佐久間 敏幸
日本電気(株)
-
加藤 芳健
日本電気(株)
-
飯塚 敏洋
日本電気(株)
-
山口 弘
日本電気(株)
-
LESAICHERRE Pierre-Yves
日本電気(株)
-
西本 昭三
日本電気(株)
-
佐久間 敏幸
NEC 基礎研究所
-
藪田 久人
広大総合科
-
薮田 久人
広大総合科
-
山口 弘
Nec基礎研究所
-
曽祢 修次
NEC基礎研究所
-
加藤 芳健
NEC基礎研究所
-
藪田 久人
広大・総合科
関連論文
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 (シリコン材料・デバイス)
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 22aPS-25 メタ磁性物質MnFe(P,As)の圧力誘起スピングラス相(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 23aPS-33 メタ磁性物質MnFe(P,As)の磁性元素サイト置換効果(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-31 メタ磁性体MnFe(P,Ge)およびMnFe(P,As)の電気抵抗(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-34 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P, Ge)の磁性II(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- SBT薄膜の強誘電性の温度依存性
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 20aWG-2 LuMCu_4 中の ^Cu NQR の実験的解析
- 30p-PS-19 C15b型イッテルビウム化合物のNMR、NQR
- 29p-APS-7 Cl5b型イッテルビウム化合物のNQR
- 26p-F-16 C15b型イッテルビウム化合物のNMR
- 3p-PS-8 YbInCu_4の価数揺動状態 IV
- 31a-J-9 YbInCu_4の価数揺動状態III
- 19pPSA-2 磁気冷凍材料の軟X線磁気円二色性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- P-22 ZnO/SiO_2/Siダイアフラム・バルク波複合共振子(ポスター・セッション)
- 低電圧・高速用途向けDRAM混載ロジックLSI技術
- 24pPSA-41 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CVD-SrTiO_3膜の電気特性
- MBE法によるHgCdTeエピ成長とエピ層の特性
- FeRAM用強誘電体材料
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
- (Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
- 25awB-9 YbMcu_4(M=Pd,Cd,Zn,Tl)中の^Cu NQR(25aWB 重い電子系(少数キャリア・近藤半導体,その他),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))