CVD-SrTiO_3膜の電気特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1995-11-14

著者

• 薮田 久人

  キャノン先端融合研

• 吉田 政次

  日本電気(株)

• 曽祢 修次

  日本電気(株)

• 加藤 芳健

  日本電気(株)

• 藪田 久人

  広大総合科

• 薮田 久人

  広大総合科

• 山口 弘

  Nec基礎研究所

• 曽祢 修次

  NEC基礎研究所

• 薮田 久人

  NEC基礎研究所

• 加藤 芳健

  NEC基礎研究所

• 吉田 政次

  NEC基礎研究所

• 藪田 久人

  広大・総合科

関連論文

• 22aPS-25 メタ磁性物質MnFe(P,As)の圧力誘起スピングラス相(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 23aPS-33 メタ磁性物質MnFe(P,As)の磁性元素サイト置換効果(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pPSA-31 メタ磁性体MnFe(P,Ge)およびMnFe(P,As)の電気抵抗(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-34 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P, Ge)の磁性II(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
• 20aWG-2 LuMCu_4 中の ^Cu NQR の実験的解析
• 30p-PS-19 C15b型イッテルビウム化合物のNMR、NQR
• 29p-APS-7 Cl5b型イッテルビウム化合物のNQR
• 26p-F-16 C15b型イッテルビウム化合物のNMR
• 3p-PS-8 YbInCu_4の価数揺動状態 IV
• 31a-J-9 YbInCu_4の価数揺動状態III
• 19pPSA-2 磁気冷凍材料の軟X線磁気円二色性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24pPSA-41 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CVD-SrTiO_3膜の電気特性
• MBE法によるHgCdTeエピ成長とエピ層の特性
• (Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
• 25awB-9 YbMcu_4(M=Pd,Cd,Zn,Tl)中の^Cu NQR(25aWB 重い電子系(少数キャリア・近藤半導体,その他),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク