幡谷 耕二 | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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概要
関連著者
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
著作論文
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)