非共振型FETスイッチを用いたKa帯移相器MMIC
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概要
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本報告書は、Ka帯スイッチドライン移相器MMICに関するものである。基準/遅延線路の切り換え素子として用いた非共振型FETスイッチは、dc〜60GHzで良好なオン/オフ特性を有している。スイッチ動作に共振を用いていないため、移相器では良好な設計性が確保できる。このスイッチを移相器に適用するため、移相条件と整合条件を図示的に見いだす設計手法を確立した。試作した4ビット移相器MMICでは、周波数33〜35GHzにおいて移相偏差5°rms以下、挿入損失偏差0.65dBrms以下と、良好な移相特性が得られた。また挿入損失は13.1±1.1dB、VSWRは1.6以下であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
丸橋 建一
日本電気(株)
-
水谷 浩
日本電気(株),化合物デバイス事業部
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大畑 恵一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水谷 浩
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
-
水谷 浩
Nec
-
大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
-
水谷 浩
日本電気(株) 化合物デバイス事業部
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