成長及び成長中断時におけるInAs歪層の格子緩和過程の観察
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概要
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分子線エピタキシ(MBE)法によるInAs歪層の成長メカニズムを明らかにするために、InP基板上のInAs歪層の臨界膜厚に関し、成長条件(成長温度、As/Inフラックス比及び成長速度)依存性、成長中断時の表面形状変化のAsフラックス量、InAs歪層厚依存性について反射高エネルギー電子線回折(RHEE)を用いて調べた。その結果、成長温度の低下、As/Inフラックス比の低下、及び成長速度の増加により臨界膜厚が増加すること、成長中断時のAsフラックス量を下げることにより格子緩和が抑制されることがわかった。これらの実験結果からInAs歪層の成長モデルとして、一旦準安定な平滑表面を形成するが、その後、ある時定数で3次元化(格子緩和)し、より安定な状態となるモデルを提案した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
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