高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT
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概要
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InGaAs層とInP層からなる複合コレクタ構造を最適化し電子輸送の改善を図ったInP/InGaAsダブルへテロ接合HBT(DHBT)を開発した。コレクタ中の電子速度が向上した結果、コレクタを薄層化してf_<max>を犠牲にすることなく高f_T化することが可能となり、f_T/f_<max>=209GHz/300GHzと高いレベルでf_T/f_<max>の両立が可能になった。また、高電流密度動作時の電流ブロッキングを抑えることができ、ピークf_Tとしては242GHzが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
田中 愼一
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
池永 佳史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
冨士原 明
NEC
-
川中 雅史
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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