InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
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概要
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InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET(HJFET)の高信頼化を図るための要素技術として、モリブデン(Mo)系電極の適用による耐熱性電極技術と、AlAs/InAs超格子の導入による、ドナー不活性化抑制のための技術を開発した。これらの高信頼化技術を統合したデバイスはgm〜1200mS/mmという優れたデバイス特性を発揮し、1000時間におよぶ高温通電試験においても特性変動が極めて小さく、高い信頼性を有することを確認した。
- 日本信頼性学会の論文
著者
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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