In_<0.53>Ga_<0.47>As層の挿入によるIn_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.8>Ga_<0.2>Asヘテロ界面の平滑化
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概要
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In_0.52>Al_0.48>As, In_0.8>Ga_0.2>As界面へ1nmの薄いIn_0.53>Ga_0.47>As層を挿入することにより、移動度を14,200cm^2/Vsから15,600cm^2/Vsと10%向上できた。移動度向上の理由を、2次元電子ガス濃度依存性、In_0.52>Al_0.48>Asスペーサー層厚依存性、In_0.53>Ga_0.47>As挿入層厚依存性、ヘテロ界面の断面TEM像から調べた。その結果In_0.53>Ga_0.47>As層の挿入による移動度向上の理由は、チャネル層中の電子をInAlAs層やInAlAs/InGaAsヘテロ界面から遠ざけイオン散乱を抑制することではなく、平滑なIn_0.52>Al_0.48>As/In_0.8>Ga_0.2>Asヘテロ界面が形成できるためであるとわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
佐本 典彦
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
大石 恵美
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
大石 恵美
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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